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650 V GaN 器件采用双面散热，面向 AI 数据中心电源
How a 650-V GaN device shrinks footprint in space-constrained data center racks
AI 导读
EDN 介绍一款用于 AI 数据中心高压功率转换的 650 V GaN 器件，采用顶部和底部双面散热，讨论其在空间受限机架中的应用。
推荐理由
助手编辑复核（基于已存来源摘要）：数据中心功率转换、散热与器件封装直接影响硬件选型。
来源：EDN · edn.com